IXFA24N60X

IXYS

IXFA24N60X

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs175mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1910 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HiPerFET™, Ultra X
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 2.5mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
最大功耗400W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263AA (IXFA)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)