IXFA20N85XHV

Name: IXFA20N85XHV
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET N-CH 850V 20A TO263

在产TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	330mOhm @ 500mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1660 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
包装	Tube
产品状态	在产
系列	HiPerFET™, Ultra X
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA

漏源电压	850 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
最大功耗	540W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	TO-263HV

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)