FMP26-02P

IXYS

FMP26-02P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 200V 26A I4-PAC

停产/老旧i4-Pac™-5模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 25A, 10V
基础料号FMP26
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2720pF @ 25V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列Polar™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A, 17A
Power - Max125W

机械

封装Tube
Package / Casei4-Pac™-5
供应商器件封装ISOPLUS i4-PAC™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)