FMM60-02TF

IXYS

FMM60-02TF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC

在产i4-Pac™-5模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 30A, 10V
基础料号FMM60
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700pF @ 25V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A
Power - Max125W

机械

封装Tube
Package / Casei4-Pac™-5
供应商器件封装ISOPLUS i4-PAC™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)