FMM22-06PF

IXYS

FMM22-06PF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC

在产i4-Pac™-5模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 11A, 10V
基础料号FMM22
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600pF @ 25V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列HiPerFET™, PolarHT™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A
Power - Max130W

机械

封装Tube
Package / Casei4-Pac™-5
供应商器件封装ISOPLUS i4-PAC™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)