通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 120A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | FMM |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
| 制造商 | IXYS |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 75V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | i4-Pac™-5 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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