通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Asynchronous |
| 访问时间 | 55 ns |
| 基础料号 | IS62WV6416 |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 写周期时间 | 55ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 1Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 供电电压 | 1.7V ~ 2.2V |
| Memory Organization | 64K x 16 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 48-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 48-TFBGA (6x8) |
环境
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
|---|