通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Asynchronous |
| 访问时间 | 8 ns |
| 基础料号 | IS61WV12824 |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 写周期时间 | 8ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 3Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 供电电压 | 3.135V ~ 3.465V |
| Memory Organization | 128K x 24 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 119-BBGA |
| 供应商器件封装 | 119-PBGA (14x22) |
环境
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
|---|