IS49NLS18160A-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS18160A-25WBLI

Datasheet

存储器与存储

RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Se

在产144-TFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术RLDRAM 2
访问时间20 ns
制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive

电气

存储容量288Mbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceHSTL
时钟频率400 MHz
供电电压1.7V ~ 1.9V
Memory Organization16M x 18

机械

封装Bulk
Package / Case144-TFBGA
供应商器件封装144-TWBGA (11x18.5)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)