通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | RLDRAM 2 |
| 访问时间 | 15 ns |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Com
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | RLDRAM 2 |
| 访问时间 | 15 ns |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 存储容量 | 576Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | HSTL |
| 时钟频率 | 400 MHz |
| 供电电压 | 1.7V ~ 1.9V |
| Memory Organization | 64M x 9 |
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 144-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 144-TWBGA (11x18.5) |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
|---|