通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - DDR3 |
| 访问时间 | 20 ns |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装 | Tray |
| 产品状态 | 在产 |
| 写周期时间 | 15ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 2Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 1.066 GHz |
| 供电电压 | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 128M x 16 |
机械
| Package / Case | 96-TFBGA |
|---|
环境
| Grade | Automotive |
|---|---|
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |