通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - DDR |
| 访问时间 | 700 ps |
| 基础料号 | IS43R83200 |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| 写周期时间 | 15ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 256Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 166 MHz |
| 供电电压 | 2.3V ~ 2.7V |
| Memory Organization | 32M x 8 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商器件封装 | 66-TSOP II |
环境
| 工作温度 | 0°C~70°C(TA) |
|---|