IS43LQ16256A-062TBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LQ16256A-062TBLI

Datasheet

存储器与存储

IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA

在产200-TFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - Mobile LPDDR4
基础料号IS43LQ16256
制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive

电气

存储容量4Gbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceLVSTL
时钟频率1.6 GHz
供电电压1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization256M x 16

机械

封装Tray
Package / Case200-TFBGA
供应商器件封装200-TFBGA (10x14.5)

环境

工作温度-40°C~85°C(TC)