通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| 访问时间 | 5.5 ns |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 写周期时间 | 15ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 5
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| 访问时间 | 5.5 ns |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 写周期时间 | 15ns |
| 存储容量 | 4Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | HSUL_12 |
| 时钟频率 | 533 MHz |
| 供电电压 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 128M x 32 |
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 134-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 134-TFBGA (10x11.5) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TC) |
|---|