通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| 基础料号 | IS43LD16640 |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 写周期时间 | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LD16640C-18BLI
Datasheet存储器与存储
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 1Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 533 MHz |
| 供电电压 | 1.14V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 134-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 134-TFBGA (10x11.5) |
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|