IS43DR16640C-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640C-3DBL-TR

Datasheet

存储器与存储

1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @

在产84-TFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SDRAM - DDR2
访问时间450 ps
制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
写周期时间15ns

电气

存储容量1Gbit
存储格式DRAM
Memory InterfaceSSTL_18
时钟频率333 MHz
供电电压1.7V ~ 1.9V
Memory Organization64M x 16

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case84-TFBGA
供应商器件封装84-TWBGA (8x12.5)

环境

工作温度0°C ~ 85°C (TC)