通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 访问时间 | 450 ps |
| 基础料号 | IS43DR16640 |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 写周期时间 | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-3DBL
Datasheet存储器与存储
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 1Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 333 MHz |
| 供电电压 | 1.7V ~ 1.9V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 84-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 84-TWBGA (8x12.5) |
环境
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
|---|