IV1Q12160T4

Name: IV1Q12160T4
Brand: Inventchip

模拟与电源

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 10A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	885 pF @ 800 V
制造商	Inventchip
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.9V @ 1.9mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
最大功耗	138W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)