IRLS3034-7PPBF

International Rectifier

IRLS3034-7PPBF

模拟与电源

HEXFET POWER MOSFET

在产TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 200A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10990 pF @ 40 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C240A (Tc)
最大功耗380W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
供应商器件封装D2PAK (7-Lead)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)