IRLL024ZPBF

International Rectifier

IRLL024ZPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)