IRL7472L1TRPBF

International Rectifier

IRL7472L1TRPBF

模拟与电源

IRL7472L1 - 12V-300V N-CHANNEL P

在产DirectFET™ Isometric L8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.59mOhm @ 195A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20082 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列StrongIRFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C375A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 341W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric L8
供应商器件封装DirectFET™ Isometric L8

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)