IRL6283MTRPBF

International Rectifier

IRL6283MTRPBF

模拟与电源

DIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFET

在产DirectFET™ Isometric MD模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.75mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs158 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8292 pF @ 10 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®, StrongIRFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Ta), 211A (Tc)
最大功耗2.1W (Ta), 63W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MD
供应商器件封装DIRECTFET™ MD

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)