IRL1404SPBF

International Rectifier

IRL1404SPBF

模拟与电源

HEXFET POWER MOSFET

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 95A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 200W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)