IRFSL7530PBF

International Rectifier

IRFSL7530PBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 195A TO262

在产TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13703 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®, StrongIRFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C195A (Tc)
最大功耗375W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装TO-262

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)