IRFR9120NPBF

International Rectifier

IRFR9120NPBF

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 6.6A TO252

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 3.9A, 10V
基础料号IRFR9120
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Tc)
最大功耗40W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)