IRFL024NPBF

International Rectifier

IRFL024NPBF

模拟与电源

HEXFET POWER MOSFET

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 2.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)