IRFHS8342TR2PBF

International Rectifier

IRFHS8342TR2PBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

停产/老旧6-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.8A (Ta), 19A (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case6-PowerVDFN
供应商器件封装PG-TSDSON-6