IRFHM8334TRPBF

International Rectifier

IRFHM8334TRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1180 pF @ 10 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 43A (Tc)
最大功耗2.7W (Ta), 28W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)