IRFHM4234TRPBF

International Rectifier

IRFHM4234TRPBF

模拟与电源

HEXFET POWER MOSFET

在产8-TQFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1011 pF @ 13 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列FASTIRFET™, HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 25µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
最大功耗2.8W (Ta), 28W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-TQFN Exposed Pad

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)