IRFH7921TRPBF-IR

International Rectifier

IRFH7921TRPBF-IR

模拟与电源

IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1210 pF @ 15 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 34A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PQFN (5x6) Single Die

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)