IRFH7194TRPBF

International Rectifier

IRFH7194TRPBF

模拟与电源

HEXFET POWER MOSFET

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.4mOhm @ 21A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds733 pF @ 50 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列FASTIRFET™, HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 50µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 35A (Tc)
最大功耗3.6W (Ta), 39W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)