IRFH7188TRPBF

International Rectifier

IRFH7188TRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN

停产/老旧8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2116 pF @ 50 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列FASTIRFET™, HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 150µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 105A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 132W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)