IRFH5255TRPBF

International Rectifier

IRFH5255TRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds988 pF @ 13 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

电气

漏源电压25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 51A (Tc)
最大功耗3.6W (Ta), 26W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)