IRFH4257DTRPBF

International Rectifier

IRFH4257DTRPBF

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 25A, 10V
基础料号IRFH4257
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1321pF @ 13V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
包装Bulk
产品状态在产
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

电气

漏源电压25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A
Power - Max25W, 28W

机械

Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装Dual PQFN (5x4)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)