IRFAC30

Name: IRFAC30
Brand: International Rectifier

模拟与电源

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

在产TO-204AA, TO-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 3.6A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	630 pF @ 25 V
制造商	International Rectifier
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	HEXFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.6A (Tc)
最大功耗	75W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)