IRF7769L2TRPBF

International Rectifier

IRF7769L2TRPBF

模拟与电源

IRF7769 - 12V-300V N-CHANNEL POW

在产DirectFET™ Isometric L8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 74A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11560 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C375A (Tc)
最大功耗3.3W (Ta), 125W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric L8
供应商器件封装DIRECTFET L8

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)