IRF7601PBF

International Rectifier

IRF7601PBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

在产8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 15 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)
最大功耗1.8W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供应商器件封装Micro8™

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)