IRF6892STRPBF

International Rectifier

IRF6892STRPBF

模拟与电源

25V 999A DIRECTFET-LV

在产DirectFET™ Isometric S3C模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 28A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2510 pF @ 13 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 50µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Ta), 125A (Tc)
最大功耗2.1W (Ta), 42W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric S3C
供应商器件封装DIRECTFET™ S3C

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)