IRF6810STRPBF

International Rectifier

IRF6810STRPBF

模拟与电源

PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM

在产DirectFET™ Isometric S1模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1038 pF @ 13 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 25µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 50A (Tc)
最大功耗2.1W (Ta), 20W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric S1
供应商器件封装DIRECTFET S1

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)