IRF6797MTRPBF

International Rectifier

IRF6797MTRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 36A/210A DIRECT

在产DirectFET™ Isometric MX模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5790 pF @ 13 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 150µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Ta), 210A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 89W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MX
供应商器件封装DIRECTFET™ MX

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)