IRF6711STRPBF

International Rectifier

IRF6711STRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT

在产DirectFET™ Isometric SQ模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1810 pF @ 13 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列DirectFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

电气

漏源电压25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 84A (Tc)
最大功耗2.2W (Ta), 42W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric SQ
供应商器件封装DirectFET™ Isometric SQ

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)