IRF6662TRPBF

International Rectifier

IRF6662TRPBF

模拟与电源

IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW

在产DirectFET™ Isometric MZ模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 8.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 100µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.3A (Ta), 47A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 89W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MZ
供应商器件封装DIRECTFET™ MZ

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)