IRF6637TRPBF

International Rectifier

IRF6637TRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT

在产DirectFET™ Isometric MP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.7mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 15 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 59A (Tc)
最大功耗2.3W (Ta), 42W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MP
供应商器件封装DIRECTFET™ MP

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)