IRF5805TRPBF

International Rectifier

IRF5805TRPBF

模拟与电源

IRF5805 - TRANSISTOR

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 3.8A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds511 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装Micro6™(TSOP-6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)