IRF40H210

International Rectifier

IRF40H210

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5406 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®, StrongIRFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 150µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)