IRF3709SPBF

Name: IRF3709SPBF
Brand: International Rectifier

模拟与电源

HEXFET SMPS POWER MOSFET

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2672 pF @ 16 V
制造商	International Rectifier
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	HEXFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
最大功耗	3.1W (Ta), 120W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)