IRF200S234

International Rectifier

IRF200S234

模拟与电源

IRF200S - 12V-300V N-CHANNEL POW

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.9mOhm @ 51A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6484 pF @ 50 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A
最大功耗417W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)