IRF1607PBF

International Rectifier

IRF1607PBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 85A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7750 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C142A (Tc)
最大功耗380W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)