AUIRL7766M2TR

International Rectifier

AUIRL7766M2TR

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

在产DirectFET™ Isometric M4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 31A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5305 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 150µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
最大功耗2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric M4
供应商器件封装DirectFET™ Isometric M4

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)