AUIRF7737L2TR

International Rectifier

AUIRF7737L2TR

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT

在产DirectFET™ Isometric L6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 94A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5469 pF @ 25 V
制造商International Rectifier
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 150µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 156A (Tc)
最大功耗3.3W (Ta), 83W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric L6
供应商器件封装DIRECTFET L6

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)